(от англ. planar - плоский), высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определенных участков этой пленки; введение в кристалл через незащищенные пленкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с электронно-дырочными переходами.